MIT は、将来のエレクトロニクスに革命をもたらす可能性のある超効率のナノスケール 3D トランジスタを発表します。

最近、マサチューセッツ工科大学 (MIT) は、トランジスタ技術の大幅な進歩を発表しました。 ナノスケール3Dトランジスタ。これらのトランジスタは垂直ナノワイヤ構造を使用して構築されており、現代のエレクトロニクスの効率に革命をもたらす可能性があります。

3D トランジスタの主な特徴

垂直構造:
- 水平に配置された従来のトランジスタとは異なり、新しい VNFET (垂直ナノワイヤ電界効果トランジスタ) トランジスタは垂直配置を使用しているため、電子の流れをより適切に管理でき、熱の発生やエネルギーの漏洩などの問題を最小限に抑えることができます。
代替材料:
- MIT は、従来のシリコンの代わりに代替半導体材料に目を向け、小規模での導電性とエネルギー効率の向上を可能にしました。これは、電子がナノスケールのシリコントランジスタの障壁を通って漏れる可能性がある「量子トンネリング」などの制限を克服するために非常に重要です。
エネルギー効率:
- これらのトランジスタはシリコンベースのデバイスよりもはるかに低い電圧で動作できるため、全体的な電力効率が向上し、消費電力が削減されます。アプリケーション人工知能やデータセンターなど、高い計算パフォーマンスを必要とするもの。
優れたパフォーマンス:
- テスト中に、トランジスタは次のことを実証しました。パフォーマンスより強力な量子閉じ込め効果を可能にする革新的な設計のおかげで、同様のトンネルベースのトランジスタよりも約 20 倍高くなります。

エレクトロニクス業界への影響

これらの 3D トランジスタが商品化に成功すれば、モバイルデバイスからコンピュータまで、さまざまな産業に大きな影響を与える可能性があります。アプリケーション人工知能の。これらのトランジスタの層を積み重ねることができるということは、増大する需要に応えるために不可欠な計算密度の増加も示唆しています。技術的な.

現在の状況

VNFET は現在実験段階にありますが、 MITが行った仕事は、より小型、より高速、よりエネルギー効率の高い電子デバイスの作成に向けた有望な道筋を示しています。この研究は、製造されるチップの均一性をさらに高めるために製造方法をさらに改善することを目的としており、この進歩は、ムーアの法則によって課せられる制限を克服し、設計と製造の革新を続けようとしている半導体業界にとって重要な時期に行われています。電子部品.