如果 内存 容量低或速度慢， 会延迟CPU和图形芯片的功能.这就是为什么它如此重要。

近年来，无论是在个人电脑还是手机中，使用最多的内存一直是 DDR4内存.很快就会被取代 DDR5内存，速度提高一倍，并具有额外的新功能。

走着瞧 什么是DDR5内存，它带来了哪些新奇事物，以及我们如何将其整合到我们的设备中。

如果半导体危机允许的话，估计在今年年底或明年年初，我们将能够在我们的个人电脑中使用它。

RAM 和新 DDR5 的演变：

SDRAM 内存

电脑、手机、平板电脑等使用的内存。处理应用程序所需的数据以 内存 （随机存取存储器）， 随机存取存储器。

它的主要特点是 是易失性存储器， 也就是说， 它只临时存储数据, 当设备处于开启状态且内存有电时。当您关闭它时，数据将被擦除，RAM 被清空。

是一个 随机存取存储器 因为可以以相同的速度访问内存中包含的任何数据，无论它位于芯片上的哪个物理位置。

有许多不同类型的 RAM： SRAM、NVRAM、MRAM、RDRAM 等

在现代电脑和手机中， SDRAM 内存，或同步动态 RAM， 动态和同步访问 RAM.

是 同步 因为它与主板的数据总线同步以提高性能。它是 动态的 因为处理器可以根据需要为应用程序或进程分配不同数量的内存。

DDR4 SDRAM 内存

现代 SDRAM 存储器属于 RDD， 或者 双倍数据速率.它的特点是记忆 可以在一个时钟周期内同时在两个不同的通道上传输数据。 有了这个系统，性能翻了一番。这就是为什么内存块以两个的倍数安装的原因。

这并不是什么新鲜事物，因为它在 20 年前就开始使用了，这就是为什么内存 DDR-SDRAM 它一直在发展： DDR、DDR2、DDR3， 等等。一些品牌而不是DDR2，DDR3等，称之为 PC2 或者 PC3但他们的意思是一样的。

它们通过 DIMM 连接器连接到计算机的主板，该连接器具有不对称的样本，因此我们知道 RAM 应该插入主板的哪个位置。

这 RAM内存速度 测量在 每秒兆次传输 (MT/sec)，尽管通常使用商业兆赫兹或兆赫兹。

• RDD： 它达到了 266 MT/sg 的速度和 2.5V 的消耗。 184 针 DIMM 连接器
• DDR2：速度400 MT/sg，消耗1.8V。 240 针 DIMM 连接器
• DDR3：速度1066 MT/sg，消耗1.5V。 240 针 DIMM 连接器
• DDR4：速度3200 MT/sg，消耗1.2V。 288 针 DIMM 连接器

正如我们所见， DDR越高，内存越快，消耗越低， 所以它变得不那么热了。

目前在手机和 PC 上使用最多的是 DDR4内存.前者被认为是老式的，但仍然为旧电脑出售。

DDR4 速度和延迟

同类型内存DDR3、DDR4等内，有 不同的速度和延迟。 了解这些术语很重要，因为它们将帮助我们与新的 DDR5 内存进行比较。

我们已经看到如何以每秒兆传输 (MT/sg) 为单位测量内存速度，但实际上在存储目录中使用兆赫 (MHz)。

因此，例如，我们可以找到 DDR4 RAM 内存模块，频率为 2,400、2,600、3,000、3,200，最高可达 3,600 Mhz。 越快越好，但从逻辑上讲它也更昂贵。并且主板必须支持这些速度。

关于 PC 的 RAM 内存的另一个非常重要的信息是 延迟。

RAM 内存模块有与之相关的编号，称为 计时.例如， 9-8-9-17.该数据表明这些特定芯片的性能，以 纳秒。

最重要的值称为 CAS 或 CL 延迟. CL 措施 RAM 占用的时钟周期数 在需要时向内存控制器提供数据。 CL越低越好。

在 DDR4 内存和相同速度（例如 3,600 Mhz）内，您会看到模块以 CL 16 或 CL 18 出售。

值越低，内存越快，但也更贵。

请注意，您无法在不同代的 DDR 之间进行比较。

例如 DDR3 内存的 CL 比 DDR4 低， 理论上更好，但在其他方面速度要慢得多，因此它的性能仍然比 DDR4 差。

DDR5？但是GDDR6不是已经存在了吗？

这 GDDR 内存 他们是回忆 用于显卡 （因此字母 G），并且具有与主 RAM 不同的架构和操作。

他们还有其他号码。事实上 最新一代显卡 携带图形或视频内存 GDDR6.但正如我们所说，它是一种具有不同目标的技术，它们不能等同。

DDR4内存数据比较

简而言之，这些是 DDR4内存的相关数据 与新的 DDR5 比较：

• 速度高达 3,200 Mhz（标准），消耗 1.2V。
• 288 针 DIMM 连接器
• 商用，速度高达 3,600 Mhz
• CAS 或 CL 延迟 14 或更高

新的 DDR5

我们已经具备了能够理解的必要基础 第五代 DDR 内存，或 DDR5.

新标准由理事会于2018年开始制定 JEDEC，但直到 2020 年 7 月 14 日才正式呈现。

DDR5 的开发目标是 DDR4内存带宽翻倍，消耗更低.所有这一切都在保持延迟的同时。

一个雄心勃勃的目标，这已成为现实。

这种明显的速度提高是必要的，因为 CPU 拥有越来越多的内核和线程.

我们已经从使用多年的 4 核处理器转变为 已经有 8、12 甚至 32 核和 64 线程的 CPU，并且他们每个人都声称自己的内存带宽。

模块密度

DDR5 模块保持 288针 （连接器）上一代。

这些芯片是用 10 纳米 (nm) 光刻, 并由 4 个存储库组成，这些存储库又可以按 8 x 8 分组。

允许提高性能的两项改进是 数据突发 并且在 记忆通道。

DDR5 将数据突发大小从 8 倍增至 16。 另外现在有 每个内存 DIMM 有两个独立的 40 位通道，而 DDR4 只有一个通道，72 位。

在这里我们可以看到 内存模块DDR5的方案, 礼貌 电气基金博客:

我们可以看到 两个独立的通道，在内存控制器（蓝色 RCD 芯片）的左右两侧。

每个通道将有关联的 10 个芯片或存储库组。

其他 诡计 为了提高性能，是 DDR5 内存已成功地将每个模块的内存芯片数量增加了 4 倍.这就是为什么它们只会被出售 在 16 GB 的模块中，留下了现在使用的流行的 8 GB 模块。

请记住，此内存在一个时钟周期中使用两个通道，因此必须并行安装两个内存模块或存储体。所以他从 2022 年起，PC 的内存将达到 32 或 64 GB RAM, 作为标准值。

但是，它们已经在开发中。 64 和 128 GB 模块.所以几年后我们将拥有个人电脑 高达 512 GB 的 RAM.

考虑到如今大多数 PC 运行在 8 或 16 GB RAM 上，这听起来很疯狂。

DDR5 速度

DDR4 内存的速度高达 3,200MT/秒， DDR5 内存以 4,800 MT/s 的速度启动，这意味着它是 快 1.87 倍.

而且可以达到 6,400吨/秒，尽管要达到这个最高速度还需要几年的时间。并且预计它甚至会被超越。

DDR5电压

DDR4 内存工作电压为 1.2V，但 DDR5 电压为 1.1V.也就是说，消耗少一点。

看起来差别不大，但考虑到它的速度几乎翻了一番，这是一项了不起的成就。

DDR5 延迟

尽管尚未确认商用 DDR5 内存的最终延迟，但标准规定 延迟将与 DDR4 存储器相同或非常相似。

所以我们可以等 CL-14 附近的 CAS 延迟 或更高一点。

新功能

DDR5 内存不仅速度更快，消耗更低。也首映 DDR4 中没有的新功能。

其中之一是 决策反馈均衡 (DFE)，它允许内存 I/O 速率可缩放，即不固定，以提高带宽和性能。

另一个改进是内存模块可以集成 内存板上的稳压器，以提高速度并降低噪音。但这大大提高了价格，并且可能仅用于服务器或高级游戏 PC。

也 将在模块中内置一个 PMIC（电源管理 IC），而不是在主板上，因此可以更轻松地超频。

DDR4 与 DDR5 表

为了稍微修正这些数据，我们比较了两代的技术特征。

在此表中，您拥有最相关的信息。

我们已经从技术角度看到了这种新记忆的样子，但对于许多人来说，所有这些数据都没有任何意义，因此我们将对其进行解释。

DDR5 内存有什么优势……在 Christian

DDR5 内存将为我们带来更大的模块，从 16 GB 开始。这意味着 PC 将拥有更多的 RAM。

在 1 或 2 年内，最小值将达到 32 GB，它会很快增加到 64、128 甚至 512 GB 的 RAM。

DDR5的更高速度将使 游戏和应用程序运行速度更快，尤其是计算机 具有多个内核的处理器。

最后， 它将比 DDR4 发热更少并且消耗更少，在未来 PC 的设计中具有优势。

适用于笔记本电脑和平板电脑的 LPDDR5

电池供电的移动设备使用一种称为 DDR5 内存的变体 LPDDR5.

前缀 LP 代表 低功耗或低功耗.它是一种较轻的内存，速度稍慢，但消耗和发热也较低。

它们是不同的标准，就像我们讨论过的 GDDR6 图形内存一样，遵循不同的编号。记忆 LPDDR5 及其变体 LPDDR5X 它们已经发售了将近一年，例如在手机上 银河 S21.

LPDDR5 的速度高达 6,400 Mbps，而 LPDDR5X 变体的速度高达 8,533 Mbps。

它们什么时候发售？

SK 海力士公司在 2019 年已经拥有运行速度为 6400 MT/s 的实验性 DDR5 芯片，这是标准允许的最大值。

这 第一个 DDR5 SDRAM 芯片 出售它是由 S.K. 海力士，去年十月。从那时起，三星、PNY 或美光等其他品牌都宣布他们将在今年年底推出商用 DDR5 内存模块。

例如，PNY 将出售其 PNY XLR8 内存模块 大小为 16 GB，频率为 4,800 Mhz，电压为 1.1 V。

估计他们会得到支持 下一代 Intel Alder Lake（第 12 代）和 AMD Zen3+ 和 Zen4 处理器，将于明年初上市。

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