麻省理工学院推出超高效纳米级 3D 晶体管，可能会彻底改变未来的电子产品。

最近，麻省理工学院（MIT）展示了晶体管技术的重大进展，随着晶体管技术的发展 纳米级3D晶体管。这些使用垂直纳米线结构构建的晶体管有可能彻底改变现代电子产品的效率。

3D 晶体管的主要特性

1. 垂直结构：
   • 与水平排列的传统晶体管不同，新型 VNFET（垂直纳米线场效应晶体管）晶体管采用垂直排列，可以更好地管理电子流，并最大限度地减少热量产生和能量泄漏等问题。
2. 替代材料：
   • 麻省理工学院已转向替代半导体材料而不是传统硅，从而在较小的规模上实现更高的导电性和能源效率。这对于克服“量子隧道”等限制至关重要，在“量子隧道”中，电子可以通过纳米级硅晶体管中的势垒泄漏。
3. 能源效率：
   • 这些晶体管可以在比硅基器件低得多的电压下运行，从而提高整体功率效率并降低需要高计算性能的应用（例如人工智能和数据中心）的功耗。
4. 优越的性能：
   • 在测试过程中，这些晶体管的性能约为类似隧道晶体管的 20 倍，这要归功于其创新设计，可实现更强的量子限制效应。

对电子行业的影响

如果成功商业化，这些 3D 晶体管可能会对从移动设备到计算机和人工智能应用等各个行业产生深远的影响。堆叠这些晶体管层的能力也表明计算密度的增加，这对于满足不断增长的技术需求至关重要。

目前状态

尽管 VNFET 目前处于实验阶段， 麻省理工学院所做的工作 展示了一条创造更小、更快、更节能的电子设备的有前途的道路。这项研究旨在进一步改进制造方法，以实现所生产芯片的更大均匀性，这一进步恰逢半导体行业的关键时刻，半导体行业寻求克服摩尔定律的限制，并继续在设计和制造方面进行创新。电子元件。